Dr. Ruth Fabiola

Profesor Invitado

 

Mi trabajo se basa en el estudio de los parámetros de fabricación de películas delgadas de Arseniuro de Galio (GaAs) mediante la técnica transporte de vapor en espacio cerrado (CSVT). El CSVT se basa en el transporte de un precursor, obtenido por la descomposición por calor de una fuente sólida, que es arrastrado por un gas con el cual el precursor reacciona para eventualmente formar una película sobre una superficie. Debido a las características de esta técnica, la morfología, rugosidad, band gap, velocidad de reacción, espesor, cristalinidad, impurezas, etc, de las películas de GaAs formadas tienen una fuerte dependencia con los parámetros elegidos para su síntesis. El entender y ser capaz de manipular las características de las películas delgadas de GaAs permitirá eficientar su aplicación en la construcción de dispositivos útiles para los campos de celdas fotovoltaicas y electrónica.